Infineon OptiMOS-T2 IPP120N08S403AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0028 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon OptiMOS-T2 IPP120N08S403AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon OptiMOS-T2 IPP120N08S403AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220 | |
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