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EPCOS B82477-G4 Drosselspule, 47 μH 2.5A Mit Ferrit-Kern 12.8mm / ±20%

About The EPCOS B82477-G4 Drosselspule, 47 μH 2.8mm / ±20%, Abmessungen: 12

EPCOS B82477-G4 Drosselspule, 47 μH 2.5A mit Ferrit-Kern 12.8mm / ±20%, Abmessungen: 12.8 x 12.8 x 8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 82mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: B82477G4473M000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS B82477-G4 Drosselspule, 47 μH 2.5A Mit Ferrit-Kern 12.8mm / ±20%

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5/P Endabdeckung.Phoenix Contact DS-ST 2.

    • Panasonic Metallschicht SMD-Widerstand 10200Ω ±0.1% / 0.1W, MPN: ERA3AEB1022V
    • nVent SCHROFF Seitliche Paneele 6U x 63TE 4, Griffe: Nein, MPN: 30823-045
    • Nexperia PSMN3R3-40YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Nexperia PSMN3R3-40YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C