ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SC-75, Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75
Specifications of ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75 | |
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