Infineon HEXFET IRFB38N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 43 A 300 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 54 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRFB38N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 43 A 300 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET IRFB38N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 43 A 300 W, 3-Pin TO-220AB | |
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