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Boot & Work Corp S.L Industrial Shields M-Duino HF WiFi Und BLE SPS E/A-Modul, 6 Eing. Relais Ausg.Typ Analog, Digital Eing.Typ 12 →

About The L Industrial Shields M-Duino HF WiFi und BLE SPS E/A-Modul, 6 Eing.

Relais Ausg.Typ Analog, Digital Eing.Typ 12 →, Versorgungsspannung: 12 → 24 V dc, MPN: 007001000100 Boot & Work Corp S.L Industrial Shields M-Duino HF WiFi und BLE SPS E/A-Modul, 6 Eing.

Elektromechanik & Automation und Kabel > Automation > SPS & HMIs und Industriecomputer > SPS – Zentralbaugruppen

Boot & Work Corp S.L Industrial Shields M-Duino HF WiFi Und BLE SPS E/A-Modul, 6 Eing. Relais Ausg.Typ Analog, Digital Eing.Typ 12 →

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Specifications of Boot & Work Corp S.L Industrial Shields M-Duino HF WiFi Und BLE SPS E/A-Modul, 6 Eing. Relais Ausg.Typ Analog, Digital Eing.Typ 12 →

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Boot & Work Corp S.L Industrial Shields M-Duino HF WiFi Und BLE SPS E/A-Modul, 6 Eing. Relais Ausg.Typ Analog, Digital Eing.Typ 12 →
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CHEMI-CON GPA, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 6800μF ±20% / 25V dc, Ø 18mm x 40mm, bis 125°C, Kapazität: 6800µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 18 (Dia.) x 40mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 5000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 400mΩ, Leckstrom: 4μA, Brummstrom: 4230mA eff., MPN: EGPA250ELL682MM40S
    • Boot & Work Corp S.L Industrial Shields Ardbox Analog HF WiFi & BLE SPS E/A-Modul, 10 Eing. Analog, Digital Ausg.Typ Analog, Digital
    • H; Black, MPN: CUR-793

    H; Black, MPN: CUR-793

    H; Black L x 2. L x 2. W x 2 in.

    • Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C