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TE Connectivity AMPMODU HE14 Leiterplatten-Stiftleiste Gewinkelt, 6-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,

About The 54mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Nennstrom: 3.TE Connectivity AMPMODU HE14 Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 6-polig / 1-reihig, Raster 2

TE Connectivity AMPMODU HE14 Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 6-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Nennstrom: 3.0A, MPN: 281698-6

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TE Connectivity AMPMODU HE14 Leiterplatten-Stiftleiste Gewinkelt, 6-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,

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Specifications of TE Connectivity AMPMODU HE14 Leiterplatten-Stiftleiste Gewinkelt, 6-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,

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WIKA Zeigerthermometer Rundes Ziffernblatt, 0 → 100 °C, Skalen-Ø 160mm, Genauigkeit max.: Klasse 1 nach EN 13190, Temperaturskala: Celsius, Serie: R55, MPN: 14419089
    • Bourns 91, Tafelmontage Dreh Potentiometer 100kΩ ±20% / 0.5W, Schaft-Ø 6.35 mm, Potenziometer Typ: Drehbar, Widerstandselement: Linear, Elementwerkstoff: Leitfähiger Kunststoff, Montageart: Frontplattenmontage, Anschlussart: Stift, Schaftlänge: 22.2mm, Betätigungselementtyp: Geschlitzte Welle, MPN: 91A1A-B28-B20L
    • RS PRO Wärmeleitmaterial, 6W/m·K, Silikon, Stärke 1.5mm, 150 x 150mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +200°C, Härte: Shore OO 50, Farbe: Rot, Betriebstemperaturbereich: –55 → +200 °C
    • Vishay SI4403CDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 13,4 A 5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
    • Vishay SI4403CDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 13,4 A 5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V