Vishay SI4403CDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 13,4 A 5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Vishay SI4403CDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 13,4 A 5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4403CDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 13,4 A 5 W, 8-Pin SOIC | |
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