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STMicroelectronics MDmesh STF11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

About The STMicroelectronics MDmesh STF11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

STMicroelectronics MDmesh STF11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 9.3mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh STF11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh STF11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

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STMicroelectronics MDmesh STF11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
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