Infineon OptiMOS IPB100N06S2L05ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon OptiMOS IPB100N06S2L05ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS IPB100N06S2L05ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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