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ROHM RQ6E050AT RQ6E050ATTCR P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Zwei Sockel, Gate-Source Spannung max.: 38 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

ROHM RQ6E050AT RQ6E050ATTCR P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6, Drain-Source-Widerstand max.: 38 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Zwei Sockel, Gate-Source Spannung max.: -18 V, +18 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM RQ6E050AT RQ6E050ATTCR P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

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Specifications of ROHM RQ6E050AT RQ6E050ATTCR P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

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