Infineon CoolMOS P7 IPL60R065P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8
About The : 0,065 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 30V
Infineon CoolMOS P7 IPL60R065P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,065 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 30V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS P7 IPL60R065P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon CoolMOS P7 IPL60R065P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8 | |
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