Infineon HEXFET IRLR2905ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 60 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 13,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
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Infineon HEXFET IRLR2905ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 60 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET IRLR2905ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 60 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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