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Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Specifications of Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Kingston 3D TLC, USB-Stick, 128 GB, USB 3.2, AES-XTS 256 bit, IronKey Vault Privacy 50,, 197, Industrieausführung: Nein, MPN: IKVP50C/128GB
    • MikroElektronika Load Cell 4 Click Entwicklungskit für ZSC31014, Kit-Klassifizierung: Development Kit, MPN: MIKROE-4458
    • RS PRO LED Schalttafel-Anzeigelampe Rot 230V ac, Montage-Ø 22mm, Schutzart: IP67, Blendenform: Bündig, Blendenfarbe: Schwarz, Nennstrom: 3mA, Intensität: 70mcd, Länge: 64mm, Intensität: 70 mcd, Länge: 64 mm
    • TE Connectivity AMPSEAL Automotive, Kfz-Steckverbinder Gehäuse, Stecker, 14-polig, Natur / 3-reihig, Typ: Kfz-Steckverbindergehäuse, Montagetyp: Kabelmontage, Höhe: 34.6mm, Breite: 35.4mm, Tiefe: 33.6mm, Gehäusematerial: GF PBT, MPN: 776273-2
    • WIKA IS-3 Drucksensor 0bar bis 10bar, Analog 4 → 20 mA, für Gas, Öl, Druckanzeigen-Typ: Druckanzeige, Genauigkeit: ±0,5 %, Versorgungsspannung: 24 V, IP Schutzart: IP65, MPN: 14122696
    • Schneider Electric NSYBTR Systemschrank, aus Stahl Hellgrau, 600x600mm, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: NSYBTR42U
    • Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8.

    • Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 1A AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 6030 Gehäuse 5.9mm / 20%, MPN: 74408063220

    Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 1A AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 6030 Gehäuse 5.9mm / 20%, MPN: 74408063220

    9mm / 20%.Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 1A AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 6030 Gehäuse 5.

    • Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay SiR516DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63,7 A, 8-Pin PowerPAK SO-8.

    • Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 1A AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 6030 Gehäuse 5.9mm / 20%, MPN: 74408063220

    Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 1A AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 6030 Gehäuse 5.9mm / 20%, MPN: 74408063220

    Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 1A AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 6030 Gehäuse 5.9mm / 20%.