Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 MA 80 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin
About The 25 x 0.Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin, Verlustleistung max
Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin, Verlustleistung max.: 200 mW, Gleichstromverstärkung min.: 120, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C
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Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 MA 80 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin
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Specifications of Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 MA 80 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin | |
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