Infineon OptiMOS 3 IPB031N08N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The 8V.Infineon OptiMOS 3 IPB031N08N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS 3 IPB031N08N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0031 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 IPB031N08N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB031N08N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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