STMicroelectronics STP26N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 15 A 110 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 195 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.6V, Höhe: 15.75mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STP26N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 15 A 110 W, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics STP26N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 15 A 110 W, 3-Pin TO-220 | |
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