Infineon OptiMOS IPD90N06S407ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252
About The : 0,0069 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS IPD90N06S407ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS IPD90N06S407ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0069 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS IPD90N06S407ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252
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Specifications of Infineon OptiMOS IPD90N06S407ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252 | |
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