Infineon C7 GOLD IPDD60R150G7XTMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 45 A, 10-Pin DDPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 0,15 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon C7 GOLD IPDD60R150G7XTMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 45 A, 10-Pin DDPAK
Specifications of Infineon C7 GOLD IPDD60R150G7XTMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 45 A, 10-Pin DDPAK | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |