Infineon OptiMOS IPD30N08S2L21ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2
Infineon OptiMOS IPD30N08S2L21ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.41mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS IPD30N08S2L21ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS IPD30N08S2L21ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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