HARTING Han-Eco B Gehäuse, Einbaumontage, IP66

Name: HARTING - HARTING Han-Eco B Gehäuse, Einbaumontage, IP66, Größe: 10B, MPN: 19430100320
Brand: HARTING
SKU: ABDV-38384
Price: 34.06 EUR
Availability: InStock

About The HARTING Han-Eco B Gehäuse, Einbaumontage, IP66, Größe: 10B, MPN: 19430100320

HARTING Han-Eco B Gehäuse, Einbaumontage, IP66, Größe: 10B, MPN: 19430100320

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Leistungssteckverbinder > Hochleistungssteckverbinder Gehäuse

Teng Tools Langer Doppelring-Schraubenschlüsselsatz, 6-teilig, Größen im Set: 8 x 10 mm, 11 x 13 mm, 12 x 14 mm, 16 x 18 mm, 17 x 19 mm, 22 x 24 mm, VDE 1000V zugelassen: Nein, MPN: TEXFLS06

Paulstra Hutchinson Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 55mm, Aussen ø 75mm, 12mm, Dichtungsmaterial: Nitrilgummi, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +110°C, MPN: 722749

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Specifications of HARTING Han-Eco B Gehäuse, Einbaumontage, IP66
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Last Updated December 30th, 2024 12:59 pm

HARTING Han-Eco B Gehäuse, Einbaumontage, IP66

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Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V

Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263).

Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V

Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263).

STMicroelectronics 256kbit EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, SO8N, 450ns SMD 32 K x 8 Bit, 32k x 8-Pin 8bit, MPN: M24256E-FMN6TP

STMicroelectronics 256kbit EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, SO8N, 450ns SMD 32 K x 8 Bit, 32k x 8-Pin 8bit.

Siemens SIRIUS Leistungsschütz / 24 V dc Spule, 3 -polig 1 Schließer / 7 A, Leistung: 3 kW, MPN: 3RT2015-2UB41

Siemens SIRIUS Leistungsschütz / 24 V dc Spule, 3 -polig 1 Schließer / 7 A.

Parker P32 G1/2 FRL, Automatik 5μ, Integriertes Manometer: Mit Manometer, Filtergröße: 5µ, Betriebsumgebungstemperatur (min.): -25°C, Anschlussverbindung Gewindegröße: 1/4 Zoll, Betriebsdruck (max.): 8 bar, Umgebungstemperaturbereich: -25 → +65.5°C, Prüfdruck: 10bar, MPN: P32CB14SEANGLNW-R2

Parker P32 G1/2 FRL, Automatik 5μ.

Paulstra Hutchinson Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 55mm, Aussen ø 75mm, 12mm, Dichtungsmaterial: Nitrilgummi, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +110°C, MPN: 722749

Paulstra Hutchinson Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 55mm, Aussen ø 75mm, 12mm.