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Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.

Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Rating :- 9.68 /10
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Schneider Electric Harmony 9001K Schlüsselschalterkopf 30mm 2 Positionen 455 Rastend IP 66, Schlüsselabzugsstellung: Alle, Beleuchtet: Nein, Betriebstemperatur max.: +70°C, Lebensdauer mechanisch: 500000, Better World-Produkt: Ja, Betriebstemperatur min.: -25°C, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: 9001KS11K3R
    • OPTIBELT 1108 Konus-Spannbuchse, 1108-24, Schaft: 24mm, Länge: 22mm, MPN: 1108 2400ZA

    OPTIBELT 1108 Konus-Spannbuchse, 1108-24, Schaft: 24mm, Länge: 22mm, MPN: 1108 2400ZA

    OPTIBELT 1108 Konus-Spannbuchse, 1108-24, Schaft: 24mm, Länge: 22mm.

    • TE Connectivity, Serie DuraSeal Flachsteckhülse, 6.35 x 0.8mm, rot isoliert, max. 1mm²

    TE Connectivity, Serie DuraSeal Flachsteckhülse, 6.35 x 0.8mm, rot isoliert, max. 1mm²

    8mm, rot isoliert, max.TE Connectivity, Serie DuraSeal Flachsteckhülse, 6.35 x 0.5mm², Minimale Drahtgröße AWG: 22AWG, Maximale Drahtgröße AWG: 18AWG, MPN: DP-2-63.

    • Schneider Electric Acti9 iDT40 RCCB, 3-polig, 25A, 300mA Typ A Acti9 400V ac, Betriebsspannung: 400V ac, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Montageart: DIN-Schienen-Montage, MPN: A9Y65325
    • SAM JD.1 3/8 → 1/4" Bithalter, Länge 30 mm, MPN: JD-1

    SAM JD.1 3/8 → 1/4" Bithalter, Länge 30 mm, MPN: JD-1

    SAM JD.1 3/8 → 1/4" Bithalter, Länge 30 mm.

    • Vishay T7 1-Gang THT Trimmer-Potentiometer, Einstellung von oben, 4.7kΩ, ±10%, 0.5W, Pin, Montageart: Durchsteckmontage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C, Schaftdurchmesser: 4 mm, Durchmesser: 7mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: VBUS05M2-HT5HG3-08
    • Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
    • Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
    • Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
    • Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V