Vishay TrenchFET SiZF906BDT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F., Drain-Source-Widerstand max.: 0,0021 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V
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Vishay TrenchFET SiZF906BDT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 X 5 F.
Specifications of Vishay TrenchFET SiZF906BDT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 X 5 F. | |
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