Infineon SIPMOS BSP92PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 20 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon SIPMOS BSP92PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS BSP92PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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