Toshiba TK30J25D,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, Länge: 15.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba TK30J25D,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TO-3PN
Specifications of Toshiba TK30J25D,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TO-3PN | |
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