reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23

About The DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23, Dauer-Drainstrom max.: 1

DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23, Dauer-Drainstrom max.: 3,7 A (Status), 4,6 A (konstant), Drain-Source-Widerstand max.: 91 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Automobilstandard: AEC-Q101

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23

Category
Instockinstock

Last Updated

DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23
More Varieties

Rating :- 9.81 /10
Votes :- 39
Bourns SRP1038A Drosselspule, 10 μH 7.5A AEC-Q200 mit Carbonylpulver-Kern, 1038 Gehäuse 11mm / ±20%, 10MHz, Tiefe: 10mm, Höhe: 3.8mm, Abmessungen: 11 x 10 x 3.8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 30mΩ, MPN: SRP1038A-100M
    • STMicroelectronics Schaltdiode Einfach 8A 1 Element/Chip SMD 1200V D2PAK (TO-263) 3-Pin Siliziumverbindung 2.2V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Länge: 10.4mm, Breite: 9.35mm, Höhe: 4.6mm, Abmessungen: 10.4 x 9.35 x 4.6mm, MPN: STTH812G-TR
    • Bourns SDR0604 Drosselspule, 4,7 μH 1.8A mit Ferrit DR-Kern, 0604 Gehäuse 5.8mm / ±20%, 34MHz, Höhe: 4.8mm, Abmessungen: 5.8 x 5.8 x 4.8mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 80mΩ, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, MPN: SDR0604-4R7ML
    • DiodesZetex TVS-Diode Bi-Directional Einfach 11.5V 5V min., 2-Pin, SMD 3.3V max X2-DSN0603, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 250mW, Impulsspitzen-Strom max.: 3A, ESD Schutz: Ja, Betriebstemperatur min.: –65 °C, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kapazität: 0.25pF, MPN: DESD3V3Z1BCSF-7
    • STMicroelectronics Operationsverstärker High Speed, Prezision SMD SOIC, einzeln typ. 2,5 → 5,5 V, 8-Pin

    STMicroelectronics Operationsverstärker High Speed, Prezision SMD SOIC, einzeln typ. 2,5 → 5,5 V, 8-Pin

    : 10V/µs, Betriebstemperatur max. 2,5 → 5,5 V, 8-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: +125 °C, Betriebstemperatur min.

    • Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 5-polig / 1-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt, MPN: T1M-05-F-SV-L-P
    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.1kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3AEB112V
    • DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23, Dauer-Drainstrom max.: 3,7 A (Status), 4,6 A (konstant), Drain-Source-Widerstand max.: 91 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Automobilstandard: AEC-Q101
    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.1kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3AEB112V
    • DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23, Dauer-Drainstrom max.: 3,7 A (Status), 4,6 A (konstant), Drain-Source-Widerstand max.: 91 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Automobilstandard: AEC-Q101