Infineon CoolMOS IPD80R2K8CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 1,9 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon CoolMOS IPD80R2K8CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 1,9 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon CoolMOS IPD80R2K8CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 1,9 A, 3-Pin TO-252 | |
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