Infineon CoolMOS IPSA70R1K4P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 4 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0014 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon CoolMOS IPSA70R1K4P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 4 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Infineon CoolMOS IPSA70R1K4P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 4 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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