Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,041 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247 | |
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