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Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247

About The Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,041 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247

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Infineon CoolMOS IPW60R041P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247
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