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OPTIBELT Red Power Antriebsriemen, SPZ-Profil 9.7mm X 8mm X 1250mm, Scheiben-Ø 63mm

About The 7mm x 8mm x 1250mm, Scheiben-Ø 63mm, Innenlänge: 1212mm, Betriebstemperatur (min.OPTIBELT Red Power Antriebsriemen, SPZ-Profil 9

OPTIBELT Red Power Antriebsriemen, SPZ-Profil 9.7mm x 8mm x 1250mm, Scheiben-Ø 63mm, Innenlänge: 1212mm, Betriebstemperatur (min.): +70°C, Außenlänge: 1263mm, Betriebstemperatur (max.): +90°C, MPN: SPZ 1250 RP

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Mechanische Kraftübertragung > Riemen und Riemenscheiben > V- und Keilriemen

OPTIBELT Red Power Antriebsriemen, SPZ-Profil 9.7mm X 8mm X 1250mm, Scheiben-Ø 63mm

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Specifications of OPTIBELT Red Power Antriebsriemen, SPZ-Profil 9.7mm X 8mm X 1250mm, Scheiben-Ø 63mm

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Amphenol connector,metal circ,box recept,size 22,9 #16 solder socket cont,e.nickel finish, MPN: 97-3102A-22-20S(689)

Amphenol connector,metal circ,box recept,size 22,9 #16 solder socket cont,e.nickel finish, MPN: 97-3102A-22-20S(689)

nickel finish.Amphenol connector,metal circ,box recept,size 22,9 #16 solder socket cont,e.

    • LEM TT, 100:1 Stromwandler 100A, Leitermaß 16mm, 44.5mm x 36.5mm x 51mm, Ausgangsstrom: 33,33 mA, Temperatur (min.): -25°C, Temperatur (max.): +70°C, Montagetyp: Kabelbinder, MPN: TT 100-SD
    • Vishay Tafelmontage Diode, 1600V / 320A, 3-Pin MAGN-A-PAK, Diodenkonfiguration: Serie, Gleichrichter-Typ: Recovery Gleichrichter, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.28V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 10.6kA, MPN: VS-VSKD320-16
    • Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
    • Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V