Infineon OptiMOS 3 BSZ100N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 30 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm
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Infineon OptiMOS 3 BSZ100N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 30 W, 8-Pin TSDSON
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSZ100N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 30 W, 8-Pin TSDSON | |
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