Infineon OptiMOS P BSZ086P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
About The : 3.9V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon OptiMOS P BSZ086P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 13,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 1.1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS P BSZ086P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS P BSZ086P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON | |
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