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Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB
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Schneider Electric Schloss, Stahl, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: NSYTHL1242EPLM
    • Rotronic Instruments, Feuchtigkeits-/Temperaturfühler Hygrometer-Sonde für Messen von Massenverpackungsmaterialien, MPN: HygroClip HC2-HP28

    Rotronic Instruments, Feuchtigkeits-/Temperaturfühler Hygrometer-Sonde für Messen von Massenverpackungsmaterialien, MPN: HygroClip HC2-HP28

    Rotronic Instruments, Feuchtigkeits-/Temperaturfühler Hygrometer-Sonde für Messen von Massenverpackungsmaterialien.

    • Panasonic, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 2700μF ±20% / 16V dc, Ø 12.5mm x 25mm, bis 105°C, Kapazität: 2700µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 12.5 (Dia.) x 25mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Lebensdauer: 5000h, Automobilstandard: AEC-Q200, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 2.28A, Serie: FK Radial, MPN: EEUFK1C272
    • Amphenol India Sr II Buchse Rundsteckverbinder-Schutzkappe Größe 12 / MIL-DTL-38999 Serie II, MPN: MS27511B12R

    Amphenol India Sr II Buchse Rundsteckverbinder-Schutzkappe Größe 12 / MIL-DTL-38999 Serie II, MPN: MS27511B12R

    Amphenol India Sr II Buchse Rundsteckverbinder-Schutzkappe Größe 12 / MIL-DTL-38999 Serie II.

    • Recom R1S DC/DC-Wandler 1W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 200mA 1kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 21,6 → 26,4 V dc, Isolationsspannung: 1kV dc, Montagetyp: Oberflächenmontage, Gehäuse: DIP 8, Lastausregelung: ±12%, Temperatur min.: -40°C, Temperatur max.: +100°C, Tiefe: 6.7mm, Länge: 12.75mm, MPN: R1S-2405
    • Amphenol Socapex Amphenol, PT MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 6-polig, 1 kV ac, Kabelmontage, Gehäuse 10, MIL-DTL-26482, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Verbindungstyp: Bajonett, Steckergröße: Mini, Gehäuseausrichtung: Gerade, Gehäusematerial: Aluminium, Farbe: Grün, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, MPN: PT01A-10-6S(SR)
    • Infineon HEXFET IRLML0100TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 235 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Infineon HEXFET IRLML0100TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 235 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C