Infineon HEXFET IRLML0100TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 235 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRLML0100TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET IRLML0100TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |