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Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm

About The Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm, Tiefe: 4

Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm, Tiefe: 4.7mm, MPN: 784325160

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm

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Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm
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Eaton Sicherungshalter-Clip aus Kupfer, vernickelt, für 1Zoll Sicherungen, Sicherungs Typ: Patrone, Breite: 17.3mm, Länge: 25.4mm, Höhe: 34.8mm, Kontaktbeschichtung: Silber, Serie: Eaton Bussman, MPN: A3354705
    • Phoenix Contact Querverbinder/Brücke für Reihenklemme FBS 50-5 BU, MPN: 3032114

    Phoenix Contact Querverbinder/Brücke für Reihenklemme FBS 50-5 BU, MPN: 3032114

    Phoenix Contact Querverbinder/Brücke für Reihenklemme FBS 50-5 BU.

    • Phoenix Contact SMKDSP 1.5/12-5.08 Printklemme 12-polig, Raster 5.08mm, Typ: Leiterplatten-Anschlussklemmenblock, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Schrauben, Nennstrom: 17.5A, Betriebsspannung: 630 V, MPN: 1733677
    • TDK VLB Drosselspule, 200 nH 67A mit Ferrit-Kern, 12065 Gehäuse 11.6mm / ±20%, Tiefe: 9.7mm, Höhe: 6.3mm, Abmessungen: 11.6 x 9.7 x 6.3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 466µΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: VLB12065HT-R20M
    • MEAN WELL EPP-120S Schaltnetzteil, AUS 48V dc / 2.5 A, 3.125 A 120 (Convection) W, 150 (Peak) W, EIN 113 → 370 V, Ausgangsspannung: 48V dc, Eingangsspannung: 113 → 370 V dc, 80 → 264 V ac, Montagetyp: PCB-Montage, Gehäusetyp: Offene Bauform, Länge: 76.2mm, Breite: 50.8mm, Tiefe: 28mm, Wirkungsgrad: 93.5%, Temperatur max.: +85°C, Temperatur min.: -30°C, Gewicht: 130g, MPN: EPP-120S-48
    • Vishay SMD Optokoppler DC-In / Phototransistor-Out, 6-Pin PDIP, Isolation 5300 V ac, Montage Typ: Oberflächenmontage, Durchlassspannung max.: 1.65V, Regelanstiegszeit: 3µs, Eingangsstrom max.: 60 mA, Strom-Übertragungsverhältnis max.: 200%, Mindeststromübertragungsverhältnis: 100 %, Fallzeit typ.: 14µs, MPN: CNY17-3X007T
    • Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm, Tiefe: 4.7mm, MPN: 784325160

    Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm, Tiefe: 4.7mm, MPN: 784325160

    5mm.Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.

    • Maxim Integrated Operationsverstärker Rauscharm SMD SOIC, biplor typ. ±2.4 to ±5.25V, 8-Pin

    Maxim Integrated Operationsverstärker Rauscharm SMD SOIC, biplor typ. ±2.4 to ±5.25V, 8-Pin

    4 to ±5.: 28MHz, Flankensteilheit typ.: +70 °C, Rail to Rail: Nein, Spannungsverstärkung typ.5mm, MPN: MAX412CSA+.

    • Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm, Tiefe: 4.7mm, MPN: 784325160

    Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.5mm, Tiefe: 4.7mm, MPN: 784325160

    5mm.Wurth Elektronik SMD Induktivität, 16,7 μH 5A AEC-Q200, 1050 Gehäuse 10.

    • Maxim Integrated Operationsverstärker Rauscharm SMD SOIC, biplor typ. ±2.4 to ±5.25V, 8-Pin

    Maxim Integrated Operationsverstärker Rauscharm SMD SOIC, biplor typ. ±2.4 to ±5.25V, 8-Pin

    25V, 8-Pin, Stromversorgungs-Typ: Dual, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: 122 dB, Abmessungen: 5 x 4 x 1.: +70 °C, Rail to Rail: Nein, Spannungsverstärkung typ.4 to ±5.