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Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 MA 300 MHz, SOT-23 3-Pin

About The : 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA 300 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max

Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA 300 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 75 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 MA 300 MHz, SOT-23 3-Pin

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Specifications of Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 MA 300 MHz, SOT-23 3-Pin

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Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 MA 300 MHz, SOT-23 3-Pin
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Banner QS18 zylindrisch Optischer Sensor, Diffus, Bereich 100 mm, NPN Ausgang, Anschlusskabel, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 25 mA, Reaktionszeit: 850 μs, Gehäusematerial: ABS, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, MPN: QS18VN6FF100
    • Intelligent LED Solutions ILS, Powerchip-LED Neutralweiß 4,5 lm-Typ, 4000K 0,45W, Anzahl der LEDs: 1, MPN: ILH-OT01-NW90-SC221-WIR200.
    • Toshiba TLP293 SMD Optokoppler DC-In / Phototransistor-Out, 4-Pin SO4, Isolation 3750 V eff., Durchlassspannung max.: 1.4V, Regelanstiegszeit: 2µs, Eingangsstrom max.: 50 mA (Durchlassstrom), Strom-Übertragungsverhältnis max.: 400%, Mindeststromübertragungsverhältnis: 200%, Fallzeit typ.: 3µs, Besondere Merkmale: Kollektor-Emitter-Spannung 80 V (Min.), Geeignet für SMD-Montage und Anwendungen mit hoher Packungsdichte, MPN: TLP293(BLL-TPL,E(T
    • METCASE Combimet 19 Zoll Rack Gehäuse 6U Schwarz, 482,6 mm x 265mm x 262,6 mm, Abmessungen (Außen): 262.6 x 482.6 x 265mm, Belüftet: Ja, Außengehäuse-Material: Aluminium, MPN: M6219649
    • ebm-papst 600 N DC-Axiallüfter, Kugellager, 24 V dc / 3W, 60 x 60 x 25mm, 6850U/min, 56m³/h, Höhe: 60mm, Tiefe: 25.4mm, Anschlusstyp: Leiter, Geräuschpegel: 41dB, Krümmungsrichtung: Vorwärts, Signalausgang: Spannungsausgang, Schutzart: IP20, MPN: 614NHHR
    • ebm-papst 600 N DC-Axiallüfter, Kugellager, 12 V dc / 2.9W, 60 x 60 x 25mm, 6800U/min, 56m³/h, Höhe: 60mm, Tiefe: 25.4mm, Geräuschpegel: 41dB, Krümmungsrichtung: Vorwärts, Signalausgang: Spannungsausgang, MPN: 612NHH-118
    • Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA 300 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 75 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Banner QS18 zylindrisch Optischer Sensor, Durchgangsstrahl, Bereich 20 m, 4-poliger M12-Steckverbinder,, Schaltnetzteil: Hell-/dunkelschaltend, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 25 mA, Reaktionszeit: 375 μs, 750 μs, Gehäusematerial: ABS, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, Erfüllte Normen: CE, MPN: QS186EQ8
    • Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA 300 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 75 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Banner QS18 zylindrisch Optischer Sensor, Durchgangsstrahl, Bereich 20 m, 4-poliger M12-Steckverbinder,, Schaltnetzteil: Hell-/dunkelschaltend, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 25 mA, Reaktionszeit: 375 μs, 750 μs, Gehäusematerial: ABS, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, Erfüllte Normen: CE, MPN: QS186EQ8