Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET / 1,4 A; 1,5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Spannung max.: 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V, Gehäusegröße: PG-TDSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
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Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET / 1,4 A; 1,5 A 500 MW, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET / 1,4 A; 1,5 A 500 MW, 6-Pin TSOP-6 | |
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