IXYS HiperFET, Polar3 IXFB210N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 210 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 14,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 26.59mm, Länge: 20.29mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar3 IXFB210N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 210 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFB210N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 210 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264 | |
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