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Infineon HEXFET IRF8721TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : 2.: 12,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRF8721TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 12,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF8721TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF8721TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET IRF8721TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Schneider Electric Acti9 iDT40 RCCB, 3-polig, 40A, 300mA Typ A Acti9 400V ac, Betriebsspannung: 400V ac, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Montageart: DIN-Schienen-Montage, MPN: A9Y65340
    • SKF TSN 519 C Ringdichtung x 345mm, Innen-Ø 85mm, Nabe-Höhe: 112mm, Größe Montagebohrung: 20 mm
    • Vishay RWM 6x34 Wickel Widerstand 2.2Ω ±5% / 8W, Temperaturkoeffizient: ±75ppm/°C, MPN: RWM06342R20JS09E1
    • Vishay RWM 8x45 Wickel Widerstand 1.5kΩ ±5% / 11W, Temperaturkoeffizient: ±75ppm/°C, MPN: RWM08451501JB25E1
    • Vishay RWM 8x45 Wickel Widerstand 1.5kΩ ±5% / 11W, Temperaturkoeffizient: ±75ppm/°C, MPN: RWM08451501JB25E1