Vishay TrenchFET SQJ136ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 350 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00112 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si
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Vishay TrenchFET SQJ136ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 350 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay TrenchFET SQJ136ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 350 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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