STMicroelectronics SCT30N120H SCT30N120H N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 45 A, 3-Pin Hip247
About The : 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3
STMicroelectronics SCT30N120H SCT30N120H N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 45 A, 3-Pin Hip247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCT30N120H SCT30N120H N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 45 A, 3-Pin Hip247
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of STMicroelectronics SCT30N120H SCT30N120H N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 45 A, 3-Pin Hip247 | |
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