Infineon HEXFET IRFZ44VPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 55 A 115 W, 3-Pin TO-220AB
About The : 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +175 °C
Infineon HEXFET IRFZ44VPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 55 A 115 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFZ44VPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 55 A 115 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Infineon HEXFET IRFZ44VPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 55 A 115 W, 3-Pin TO-220AB | |
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