Infineon OptiMOS P IPD90P04P405ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.41mm
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Infineon OptiMOS P IPD90P04P405ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS P IPD90P04P405ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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