Toshiba TK TK22A10N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 52 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 13,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba TK TK22A10N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 52 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
Specifications of Toshiba TK TK22A10N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 52 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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