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TDK-Lambda Lambda DRJ DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 20W, 85 → 264 V Ac V Dc, 120 → 370 V Ac V Dc,

About The TDK-Lambda Lambda DRJ DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 20W, 85 → 264 V ac V dc, 120 → 370 V ac V dc,, Ausgangsspannung: 5V dc, Ausgangsstrom: 4A, AC- oder DC-Eingangsspannung: ac, dc, MPN: DRJ30-5-1

TDK-Lambda Lambda DRJ DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 20W, 85 → 264 V ac V dc, 120 → 370 V ac V dc,, Ausgangsspannung: 5V dc, Ausgangsstrom: 4A, AC- oder DC-Eingangsspannung: ac, dc, MPN: DRJ30-5-1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Stromversorgungen & Transformatoren > Netzteile > DIN-Schienen Netzteile

TDK-Lambda Lambda DRJ DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 20W, 85 → 264 V Ac V Dc, 120 → 370 V Ac V Dc,

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Specifications of TDK-Lambda Lambda DRJ DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 20W, 85 → 264 V Ac V Dc, 120 → 370 V Ac V Dc,

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RS PRO Madenschraube, M5 x 5mm, Edelstahl A2 Innensechskant Gewindestift, Edelstahltyp: A2 304, Finish: Glatt, Erfüllte Normen: DIN 916
    • PMA CYLT Leerrohr Kunststoff, Ø 20mm nom. flexibel, Schwarz A ø 21.2mm I ø 16.2mm x 10m, mit IP-Schutzklasse
    • Omron E3F zylindrisch Entfernungssensor, Hintergrundunterdrückung, Bereich 10 mm → 50 mm, PNP Ausgang, 4-poliger, Anschluss: 4-poliger M12-Steckverbinder, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP67, IP69K, Strom max.: 25 mA, Reaktionszeit: 500 μs, Gehäusematerial: Vernickeltes Messing, Betriebstemperatur max.: +55°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: E3FBVP21
    • Nexperia PSMN9R5-30YLC,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 44 A 34 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 12,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.95V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.05V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm
    • Nexperia PSMN9R5-30YLC,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 44 A 34 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 12,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.95V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.05V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm