Infineon HEXFET IRLML6346TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon HEXFET IRLML6346TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET IRLML6346TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23 | |
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