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Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 1,56 W, 8-Pin SOIC

About The Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 1,56 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 1,56 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 1,56 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 1,56 W, 8-Pin SOIC

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