onsemi NTH4L022N120M3S N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 68 A, 4-Pin TO-247-4L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,03 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.4V, Transistor-Werkstoff: SiC
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Onsemi NTH4L022N120M3S N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 68 A, 4-Pin TO-247-4L
Specifications of Onsemi NTH4L022N120M3S N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 68 A, 4-Pin TO-247-4L | |
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