reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 12,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 12,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
More Varieties

Rating :- 9.68 /10
Votes :- 39