Infineon CoolMOS P7 IPN95R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 0,12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS P7 IPN95R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon CoolMOS P7 IPN95R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin SOT-223 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |