ROHM RS3E075AT RS3E075ATTB P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,5 A 2 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 31 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RS3E075AT RS3E075ATTB P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,5 A 2 W, 8-Pin SOP
Specifications of ROHM RS3E075AT RS3E075ATTB P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,5 A 2 W, 8-Pin SOP | |
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